2021年有結(jié)構(gòu)性機會，長線具備大機會的板塊：第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、5G通信、衛(wèi)星通信、光通信、電力電子、航空航天等領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體材料已被認(rèn)為是當(dāng)今電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動力。
2021年是中國“十四五規(guī)劃”的開局之年，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃 。最新公布的廣東省政府第十四個五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要中提出積極發(fā)展第三代半導(dǎo)體。珠海“十四五”集成電路也被劃重點，將打造華南第三代半導(dǎo)體示范區(qū)。
由此可見，政策方面不容置疑，第三代半導(dǎo)體是國家未來大力扶持發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。是否出牛股，政策先行。歷史經(jīng)驗告訴我們，第三代半導(dǎo)體未來必將出牛股！下面我就整理一下第三代半導(dǎo)體的一些個股供大家參考！
1、露笑科技：碳化硅龍頭股，公司掌握了制造碳化硅長晶爐的核心技術(shù)。
2、海特高新：子公司海威華芯建立了國內(nèi)第一條6英寸砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國外同行業(yè)先進(jìn)水平，部分產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。
3、三安光電 ：公司擬在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。
4、易事特：作為國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)基地（南方基地）第二大股東及推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新技術(shù)發(fā)展的核心成員單位，現(xiàn)主要負(fù)責(zé)碳化硅、氮化鎵功率器件的應(yīng)用技術(shù)研發(fā)工作。
5、晶盛機電：公司開發(fā)的碳化硅外延設(shè)備，有助于拓展在第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場布局。
6、聞泰科技：氮化鎵龍頭股，旗下安世集團擁有生產(chǎn)氮化鎵相關(guān)的技術(shù)，安世半導(dǎo)體生產(chǎn)GaN產(chǎn)品車載GaN已經(jīng)量產(chǎn)，全球最優(yōu)質(zhì)的氮化鎵供應(yīng)商之一。
7、乾照光電：公司自2014年起即大規(guī)模量產(chǎn)氮化鎵LED外延片和芯片。
8、聚燦光電：目前產(chǎn)品涉及氮化鎵的研發(fā)和生產(chǎn)，外延片的技術(shù)就是研發(fā)氮化鎵材料的生長技術(shù)，芯片的技術(shù)就是研發(fā)氮化鎵芯片的制作技術(shù)。
9、賽微電子：涉及第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，主要包括GaN（氮化鎵）材料的生長與器件的設(shè)計。
10、兆馳股份：公司旗下控股子公司兆馳半導(dǎo)體專業(yè)從事LED外延片及芯片（即氮化鎵半導(dǎo)體芯片）的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。
11、士蘭微：公司已建成6英寸的硅基氮化鎵集成電路芯片生產(chǎn)線，涵蓋材料生長、器件研發(fā)、GaN電路研發(fā)、封裝、系統(tǒng)應(yīng)用的全技術(shù)鏈。
12、揚杰科技：公司主要從事碳化硅芯片器件及封裝環(huán)節(jié)，不涉及材料領(lǐng)域。目前可批量供應(yīng)650V、1200V碳化硅SBD、JBS器件。
13、華潤微：第三代半導(dǎo)體方面，公司根據(jù)研發(fā)進(jìn)程有序推進(jìn)碳化硅（SiC）中試生產(chǎn)線建設(shè)，目前已按計劃完成第一階段建設(shè)目標(biāo)，利用此建立的基礎(chǔ)條件完成了1200V、650VSiCJBS產(chǎn)品開發(fā)和考核。
14、楚江新材：公司子公司頂立科技在碳化硅單晶方面主要從事SiC單晶中的高純C粉的研制，掌握了將5N及以下的C粉提純到6N及以上的技術(shù)，研制開發(fā)的高純碳粉、高純碳纖維隔熱材料、高純石墨制品性能指標(biāo)達(dá)國際領(lǐng)先水平，目前公司生產(chǎn)的高純碳粉已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)。
15：華燦光電：在保持公司在LED領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和競爭力的同時，公司持續(xù)加大產(chǎn)品研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新，積極布局第三代半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域，發(fā)力GaN基電力電子器件領(lǐng)域。
16：捷捷微電：公司與中科院電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)的是以Sc、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件。
17、華微電子：公司積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)，逐步具備向客戶提供整體解決方案的能力。
18、國星光電：公司正布局第三代半導(dǎo)體器件與模組等新技術(shù)的開發(fā)與研究并已申請多項相關(guān)技術(shù)專利。
19、臺基股份：公司積極布局IGBT、固態(tài)脈沖開關(guān)及第三代半導(dǎo)體等前沿領(lǐng)域。
20、奧海科技：公司已自主研發(fā)出快充氮化鎵產(chǎn)品。氮化鎵充電器屬于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域重要技術(shù)產(chǎn)品，公司深耕充電器行業(yè)十幾載，具備平臺優(yōu)勢。
21、東尼電子：計劃投資于年產(chǎn)12萬片碳化硅半導(dǎo)體材料項目 。
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